一种全垂直型氮化镓积累型功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411090159.7

申请日：

2024-08-09

公开(公告)号：

CN118738131A

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

邓华鲜

申请人：

乐山希尔电子股份有限公司江苏希尔半导体有限公司乐山嘉洋科技发展有限公司

申请人地址：

614000 四川省乐山市高新区南新东路3号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/336

代理机构：

成都天嘉知识产权代理有限公司 51211

代理人：

邓小兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240809
2024-12-27	授权	授权
2024-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种全垂直型氮化镓积累型功率器件及其制备方法 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN118738131B ,2024-12-27

[2]

准垂直型氮化镓积累型功率器件 [P].

邓华鲜 .

中国专利 :CN117219672B ,2024-06-04

[3]

垂直型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 ;

崔莹 .

中国专利 :CN113299749B ,2021-08-24

[4]

一种氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

伍震威 ;

单建安 .

中国专利 :CN120980907A ,2025-11-18

[5]

一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法 [P].

王晓亮 ;

肖红领 ;

李百泉 ;

王权 ;

冯春 ;

殷海波 ;

姜丽娟 ;

邱爱芹 ;

崔磊 ;

介芳 .

中国专利 :CN105470294A ,2016-04-06

[6]

一种垂直型氮化镓FinFET器件及其制备方法 [P].

刘超 ;

李润泽 .

中国专利 :CN118610254A ,2024-09-06

[7]

氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘昊 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

陈奋 ;

陈泓 ;

徐涵 ;

付杰 ;

张辉 .

中国专利 :CN119096369A ,2024-12-06

[8]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909A ,2022-02-11

[9]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909B ,2024-05-17

[10]

增强型氮化镓功率器件的制备方法 [P].

白俊春 ;

程斌 ;

贾永 .

中国专利 :CN120390421A ,2025-07-29

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