掩膜版版图及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310161261.0
申请日
2023-02-23
公开(公告)号
CN118534721A
公开(公告)日
2024-08-23
发明(设计)人
蔡哲炜 周军 邢滨 余啸
申请人
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
G03F1/44
IPC分类号
H01L23/544
代理机构
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
高静
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
金吉松 .
中国专利 :CN118016650A ,2024-05-10
[2]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
江慧 ;
王志高 .
中国专利 :CN118742197A ,2024-10-01
[3]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
吴轶超 ;
金吉松 .
中国专利 :CN118412333A ,2024-07-30
[4]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
苏柏青 ;
姚柳 ;
林保均 ;
刘新鑫 ;
李若园 .
中国专利 :CN119517899B ,2025-09-30
[5]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
吴轶超 .
中国专利 :CN118524697A ,2024-08-20
[6]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
吴轶超 .
中国专利 :CN117410268A ,2024-01-16
[7]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
张高颖 ;
柏耸 ;
蒋运涛 ;
叶逸舟 ;
何弦 .
中国专利 :CN119340309A ,2025-01-21
[8]
半导体结构及掩膜版版图 [P]. 
苏柏青 ;
姚柳 ;
林保均 ;
刘新鑫 ;
李若园 .
中国专利 :CN119517899A ,2025-02-25
[9]
掩膜版版图和半导体结构 [P]. 
杨青 .
中国专利 :CN113589638B ,2024-05-24
[10]
掩膜版版图和半导体结构 [P]. 
杨青 .
中国专利 :CN113589638A ,2021-11-02