学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
激光二极管和用于制造激光二极管的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111202816.9
申请日
:
2018-05-30
公开(公告)号
:
CN114039272B
公开(公告)日
:
2024-06-18
发明(设计)人
:
弗兰克·辛格
胡贝特·哈尔布里特
申请人
:
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址
:
德国雷根斯堡
IPC主分类号
:
H01S5/02253
IPC分类号
:
H01S5/028
H01S5/042
H01S5/183
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
支娜;蒋静静
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-06-18
授权
授权
共 50 条
[1]
激光二极管和用于制造激光二极管的方法
[P].
弗兰克·辛格
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
弗兰克·辛格
;
胡贝特·哈尔布里特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡贝特·哈尔布里特
.
中国专利
:CN114039272A
,2022-02-11
[2]
激光二极管和用于制造激光二极管的方法
[P].
弗兰克·辛格
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
弗兰克·辛格
;
胡贝特·哈尔布里特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡贝特·哈尔布里特
.
中国专利
:CN110710071B
,2020-01-17
[3]
用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管
[P].
斯文·格哈德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
斯文·格哈德
.
中国专利
:CN109309340B
,2019-02-05
[4]
激光二极管和激光二极管器件
[P].
仓本大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
仓本大
;
浅野竹春
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
浅野竹春
.
中国专利
:CN100539331C
,2007-03-21
[5]
用于制造多个激光二极管的方法和激光二极管
[P].
J.布吕克纳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J.布吕克纳
;
S.格哈德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
S.格哈德
.
中国专利
:CN110945726B
,2020-03-31
[6]
激光二极管以及制造激光二极管的方法
[P].
滨口达史
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
滨口达史
;
高木慎平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高木慎平
.
中国专利
:CN103208740A
,2013-07-17
[7]
激光二极管部件和用于制造激光二极管部件的方法
[P].
诺温·冯·马尔姆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
诺温·冯·马尔姆
;
胡贝特·哈尔布里特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
胡贝特·哈尔布里特
;
奥萨·哈格隆德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
奥萨·哈格隆德
;
乔基姆·西尔斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
乔基姆·西尔斯
;
安德烈亚斯·柳迪·穆尔约
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
安德烈亚斯·柳迪·穆尔约
.
德国专利
:CN120202601A
,2025-06-24
[8]
用于制造激光二极管条的方法和激光二极管条
[P].
斯文·格哈德
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
斯文·格哈德
;
安德烈亚斯·莱夫勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
安德烈亚斯·莱夫勒
.
中国专利
:CN109659813A
,2019-04-19
[9]
激光二极管元件和制造激光二极管元件的方法
[P].
风田川统之
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
风田川统之
;
中岛博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
中岛博
;
簗岛克典
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
簗岛克典
;
京野孝史
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
京野孝史
;
足立真宽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
足立真宽
.
中国专利
:CN103975491A
,2014-08-06
[10]
用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管
[P].
C·科里亚索
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C·科里亚索
;
G·米奈格海尼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
G·米奈格海尼
;
R·保莱蒂
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
R·保莱蒂
.
中国专利
:CN109309343A
,2019-02-05
←
1
2
3
4
5
→