共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
用于制作半导体激光二极管的方法以及激光二极管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810859373.2
申请日：
2018-07-30
公开(公告)号：
CN109309343A
公开(公告)日：
2019-02-05
发明(设计)人：
C·科里亚索
G·米奈格海尼
R·保莱蒂
申请人：
申请人地址：
意大利都灵
IPC主分类号：
H01S512
IPC分类号：
H01S522
H01S534
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
张小稳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-08-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/12 申请日:20180730 |
| 2019-02-05 | 公开 | 公开 |