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第4級ホスホニウム化合物の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230002615
申请日
:
2023-01-11
公开(公告)号
:
JP2024098853A
公开(公告)日
:
2024-07-24
发明(设计)人
:
MASUDA YUSUKE
SAWAMURA MASAYA
YOSHIDA MAKI
申请人
:
UNIV HOKKAIDO
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07F9/54
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ホスホニウム化合物。[ja]
[P].
日本专利
:JP5665340B2
,2015-02-04
[2]
スルホニウム化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5897871B2
,2016-04-06
[3]
スルホニウム塩化合物の製造方法[ja]
[P].
TAZAKI YASUTAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIFILM CORP
FUJIFILM CORP
TAZAKI YASUTAKA
;
WADA KENJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIFILM CORP
FUJIFILM CORP
WADA KENJI
.
日本专利
:JP2024010326A
,2024-01-24
[4]
ホスホニウム化合物およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016072104A1
,2017-08-10
[5]
ホスホニウム化合物およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6555719B2
,2019-08-07
[6]
新規ホスホニウム化合物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018021548A1
,2019-05-23
[7]
新規ホスホニウム化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7012012B2
,2022-01-27
[8]
スルホニウム化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP5727830B2
,2015-06-03
[9]
ホウ素化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6079431B2
,2017-02-15
[10]
ホウ素化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6235277B2
,2017-11-22
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