半導体構造及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220539197
申请日
2022-01-20
公开(公告)号
JP2023550855A
公开(公告)日
2023-12-06
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/28
IPC分类号
H10B12/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体構造及びその製作方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023551332A ,2023-12-07
[2]
[3]
半導体素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004112148A1 ,2006-07-20
[4]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013125684A1 ,2015-07-30
[5]
半導体基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016513356A ,2016-05-12
[6]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009153857A1 ,2011-11-24
[7]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013125685A1 ,2015-07-30
[8]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011033623A1 ,2013-02-07
[9]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
TAKEDA TSUBASA ;
NUMATA ATSUSHI .
日本专利 :JP2024165857A ,2024-11-28
[10]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008111188A1 ,2010-06-24