３ＤＮＡＮＤのための選択ゲート分離[ja]

被引：0

申请号：

JP20230560476

申请日：

2022-03-30

公开(公告)号：

JP2024512700A

公开(公告)日：

2024-03-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B41/27

IPC分类号：

H01L21/336 H10B41/35 H10B43/27 H10B43/35 H10B43/40 H10B43/50

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共 50 条

[1]

３Ｄドラムのための選択的ケイ素化合物堆積[ja] [P].

日本专利 :JP2024530167A ,2024-08-16

[2]

３Ｄ印刷のための低粘度ＵＶ硬化性調合物[ja] [P].

日本专利 :JP2022507525A ,2022-01-18

[3]

抽出プロセスのための選択性溶媒の再生方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015512976A ,2015-04-30

[4]

メモリ検知のための電流分離[ja] [P].

日本专利 :JP2021507443A ,2021-02-22

[5]

静電分離のための帯電したイソポーラス材料[ja] [P].

日本专利 :JP2019514687A ,2019-06-06

[6]

静電分離のための帯電したイソポーラス材料[ja] [P].

RACHEL MIKA DORIN ;

SPENCER WILLIAM ROBBINS .

日本专利 :JP2022048176A ,2022-03-25

[7]

ゲートインターフェース工学のための新規方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022550561A ,2022-12-02

[8]

ゲートオールアラウンドトランジスタのための選択的シリコンエッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2023533725A ,2023-08-04

[9]

生体材料のための３Ｄプリンティング用組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2021518207A ,2021-08-02

[10]

メモリセル適用のための選択デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2017537463A ,2017-12-14

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