３Ｄドラムのための選択的ケイ素化合物堆積[ja]

被引：0

申请号：

JP20240506679

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

JP2024530167A

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H01L21/318 H01L29/786

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共 50 条

[1]

３Ｄドラムのための選択的ケイ素化合物堆積[ja] [P].

日本专利 :JP7772908B2 ,2025-11-18

[2]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

SWAMINATHAN SRINIVASAN ;

ABHIJIT MALLICK ;

NICOLAS BREIL .

日本专利 :JP2024150507A ,2024-10-23

[3]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

日本专利 :JP2021507520A ,2021-02-22

[4]

選択的堆積によるケイ素化合物膜[ja] [P].

日本专利 :JP7698951B2 ,2025-06-26

[5]

含酸素化合物の選択的脱炭酸のための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023533210A ,2023-08-02

[6]

ケイ素ドープ酸化ハフニウムの堆積のための配合物[ja] [P].

日本专利 :JP2022548037A ,2022-11-16

[7]

３ＤＮＡＮＤのための選択ゲート分離[ja] [P].

日本专利 :JP2024512700A ,2024-03-19

[8]

ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP7568714B2 ,2024-10-16

[9]

ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022544951A ,2022-10-24

[10]

硫化水素の選択的除去のためのアミン化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2018531242A ,2018-10-25

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