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極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク[ja]

被引：0
申请号：
JP20230002076
申请日：
2023-01-11
公开(公告)号：
JP7475106B1
公开(公告)日：
2024-04-26
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F1/24
IPC分类号：
G03F1/32 G03F1/80 G03F1/84 H01L21/3065
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク[ja] [P]. 
日本专利 :JP7448614B1 ,2024-03-12
[2]
極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク[ja] [P]. 
KIM YONG-TAE ;
LEE JONG-HWA ;
YANG CHUL-KYU .
日本专利 :JP2024058523A ,2024-04-25
[3]
フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク[ja] [P]. 
MATSUHASHI NAOKI .
日本专利 :JP2023065616A ,2023-05-12
[4]
反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020100632A1 ,2021-05-20
[5]
フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010038444A1 ,2012-03-01
[6]
マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014010408A1 ,2016-06-23
[7]
マスクブランク及び転写用マスクの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010113787A1 ,2012-10-11
[8]
極端紫外線リソグラフィ用ペリクル[ja] [P]. 
HONG JU-HEE ;
PARK CHUL-KYUN ;
CHOI MUN-SU ;
KIM DONG-HOI .
日本专利 :JP2024019043A ,2024-02-08
[9]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018016262A1 ,2019-04-04
[10]
マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018056033A1 ,2018-09-27
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