半導体装置およびその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20230036299
申请日
2023-03-09
公开(公告)号
JP2024127268A
公开(公告)日
2024-09-20
发明(设计)人
MAEDA TAKESHI NODA KOTARO FUJII AKISUKE
申请人
KIOXIA CORP
申请人地址
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
H01L21/8234 H01L21/8238
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011070981A1 ,2013-04-22
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008114423A1 ,2010-07-01
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016084688A1 ,2017-08-31
[4]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011043300A1 ,2013-03-04
[5]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017081922A1 ,2018-08-23
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015052991A1 ,2017-03-09
[7]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011013374A1 ,2013-01-07
[8]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010125810A1 ,2012-10-25
[9]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015087586A1 ,2017-03-16
[10]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013115050A1 ,2015-05-11