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半導体装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230181135
申请日
:
2023-10-20
公开(公告)号
:
JP2024063766A
公开(公告)日
:
2024-05-13
发明(设计)人
:
SHIN ILGYOU
NOH HYUNHO
HONG SANGHYUN
KIM SANG-YONG
KIM HYUNG-JUN
申请人
:
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8234
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/283
H01L21/316
H01L21/336
H01L21/8238
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006016678A1
,2008-05-01
[2]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006001356A1
,2008-04-17
[3]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
HAN HAUK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
HAN HAUK
;
PARK SEONGHUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
PARK SEONGHUN
;
LEE JUENG-GIL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
LEE JUENG-GIL
.
日本专利
:JP2023159866A
,2023-11-01
[4]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002037558A1
,2004-03-11
[5]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008105204A1
,2010-06-03
[6]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
ARAKAWA SHOHEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
ARAKAWA SHOHEI
;
OSADA YUTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OSADA YUTA
.
日本专利
:JP2024044633A
,2024-04-02
[7]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006009025A1
,2008-05-01
[8]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAGAI MASATSUGU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
NAGAI MASATSUGU
;
SATO SHINGO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SATO SHINGO
.
日本专利
:JP2024124977A
,2024-09-13
[9]
半導体装置、その製造方法およびその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004008544A1
,2005-11-17
[10]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
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