半導体装置及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20230181135
申请日
2023-10-20
公开(公告)号
JP2024063766A
公开(公告)日
2024-05-13
发明(设计)人
SHIN ILGYOU NOH HYUNHO HONG SANGHYUN KIM SANG-YONG KIM HYUNG-JUN
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8234
IPC分类号
H01L21/28 H01L21/283 H01L21/316 H01L21/336 H01L21/8238
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006016678A1 ,2008-05-01
[2]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006001356A1 ,2008-04-17
[3]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
HAN HAUK ;
PARK SEONGHUN ;
LEE JUENG-GIL .
日本专利 :JP2023159866A ,2023-11-01
[4]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2002037558A1 ,2004-03-11
[5]
半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008105204A1 ,2010-06-03
[6]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
ARAKAWA SHOHEI ;
OSADA YUTA .
日本专利 :JP2024044633A ,2024-04-02
[7]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006009025A1 ,2008-05-01
[8]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
NAGAI MASATSUGU ;
SATO SHINGO .
日本专利 :JP2024124977A ,2024-09-13
[9]
半導体装置、その製造方法およびその製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004008544A1 ,2005-11-17
[10]