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３Ｄ－ＮＡＮＤ用の高アスペクト比エッチングのための化学物質[ja]

被引：0
申请号：
JP20230572969
申请日：
2022-05-24
公开(公告)号：
JP2024521260A
公开(公告)日：
2024-05-30
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/316 H01L21/318 H10B43/27
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
高アスペクト比の３Ｄ ＮＡＮＤエッチングのための側壁のノッチ低減[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023523677A ,2023-06-07
[2]
高アスペクト比の３Ｄ ＮＡＮＤエッチングのための側壁のノッチ低減[ja] [P]. 
NIKHIL DOLE ;
YANAGAWA TAKUMI ;
SONG ANQI .
日本专利 :JP2025063129A ,2025-04-15
[3]
液状化学物質のためのタンク[ja] [P]. 
日本专利 :JP6420702B2 ,2018-11-07
[4]
プラズマエッチングのためのパッシベーション化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023542898A ,2023-10-12
[5]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP7787928B2 ,2025-12-17
[6]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP7626818B2 ,2025-02-04
[7]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP7775353B2 ,2025-11-25
[8]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021515988A ,2021-06-24
[9]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
日本专利 :JP7775354B2 ,2025-11-25
[10]
誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質[ja] [P]. 
KEREN J KANARIK ;
SAMANTHA SIAM-HWA TAN ;
PAN YANG ;
MARKS JEFFEREY .
日本专利 :JP2024050812A ,2024-04-10
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