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プラズマエッチングのためのパッシベーション化学物質[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230517844
申请日
:
2021-09-17
公开(公告)号
:
JP2023542898A
公开(公告)日
:
2023-10-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属エッチングのためのエッチング前処理[ja]
[P].
日本专利
:JP2025517142A
,2025-06-03
[2]
非プラズマエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021525459A
,2021-09-24
[3]
ピッカリングエマルションの組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2019520418A
,2019-07-18
[4]
トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015534261A
,2015-11-26
[5]
高アスペクト比エッチングのためにアルデヒドまたはイソシアネート化学物質を使用した側壁パッシベーション[ja]
[P].
日本专利
:JP2025509548A
,2025-04-11
[6]
パルスプラズマ堆積エッチングのステップカバレッジ改善[ja]
[P].
日本专利
:JP2021528848A
,2021-10-21
[7]
プラスチック基材のためのコーティング[ja]
[P].
日本专利
:JP2018527423A
,2018-09-20
[8]
TSV/MEMS/パワーデバイスエッチング用の化学物質[ja]
[P].
日本专利
:JP2017518645A
,2017-07-06
[9]
TSV/MEMS/パワーデバイスエッチング用の化学物質[ja]
[P].
日本专利
:JP6485972B2
,2019-03-20
[10]
3D-NAND用の高アスペクト比エッチングのための化学物質[ja]
[P].
日本专利
:JP2024521260A
,2024-05-30
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