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金属エッチングのためのエッチング前処理[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240565308
申请日
:
2023-05-09
公开(公告)号
:
JP2025517142A
公开(公告)日
:
2025-06-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H01L21/3213
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
低K及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ[ja]
[P].
日本专利
:JP2014532988A
,2014-12-08
[2]
多結晶半導体のエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025507015A
,2025-03-13
[3]
ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005117082A1
,2008-04-03
[4]
プラズマエッチングのためのパッシベーション化学物質[ja]
[P].
日本专利
:JP2023542898A
,2023-10-12
[5]
半導体材料の選択的精密エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025508876A
,2025-04-10
[6]
ESD保護のための垂直スイッチング構成[ja]
[P].
日本专利
:JP2014535157A
,2014-12-25
[7]
半導体材料の精密な選択性エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023520218A
,2023-05-16
[8]
ニオブ酸リチウムのドライエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024503531A
,2024-01-25
[9]
窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015506583A
,2015-03-02
[10]
硫黄系の無酸素不動態化剤によるエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025539884A
,2025-12-09
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