低Ｋ及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ[ja]

被引：0

申请号：

JP20140538839

申请日：

2012-10-17

公开(公告)号：

JP2014532988A

公开(公告)日：

2014-12-08

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H05H1/24 H05H1/46

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

金属エッチングのためのエッチング前処理[ja] [P].

日本专利 :JP2025517142A ,2025-06-03

[2]

窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015506583A ,2015-03-02

[3]

多結晶半導体のエッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2025507015A ,2025-03-13

[4]

パターン化導体、半導体及び誘電体材料のための印刷処理[ja] [P].

日本专利 :JP5681878B2 ,2015-03-11

[5]

局所化されたエッチング用途のための半導体材料を保護するための改良されたマスク[ja] [P].

日本专利 :JP7191930B2 ,2022-12-19

[6]

局所化されたエッチング用途のための半導体材料を保護するための改良されたマスク[ja] [P].

日本专利 :JP2020529728A ,2020-10-08

[7]

反応チャンバ用の摺動スレッジを有する基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器[ja] [P].

MAURILIO GIUSEPPE MESCHIA ;

DANILO CRIPPA ;

SILVIO ROBERTO MARIO PRETI ;

FRANCESCO COREA ;

STEFANO POLLI .

日本专利 :JP2025041560A ,2025-03-26

[8]

ＥＳＤ保護のための垂直スイッチング構成[ja] [P].

日本专利 :JP2014535157A ,2014-12-25

[9]

２−６族半導体材料をアニールするためのチャンバー、装置、及び、方法[ja] [P].

日本专利 :JP5631633B2 ,2014-11-26

[10]

Ｘ線の直接変換のためのセンサチップを製造するための方法、Ｘ線の直接変換のためのセンサ、およびそのようなセンサを使用した歯科放射線装置[ja] [P].

日本专利 :JP2015531611A ,2015-11-05

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