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窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140550456
申请日
:
2012-12-27
公开(公告)号
:
JP2015506583A
公开(公告)日
:
2015-03-02
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/308
IPC分类号
:
H01L21/304
H01L21/3205
H01L21/768
H01L23/522
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属エッチングのためのエッチング前処理[ja]
[P].
日本专利
:JP2025517142A
,2025-06-03
[2]
半導体材料の選択的精密エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025508876A
,2025-04-10
[3]
ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005117082A1
,2008-04-03
[4]
低K及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ[ja]
[P].
日本专利
:JP2014532988A
,2014-12-08
[5]
半導体材料の精密な選択性エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023520218A
,2023-05-16
[6]
創傷を治癒するための組成物および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018535749A
,2018-12-06
[7]
無限選択性を有する高アスペクト比エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023513771A
,2023-04-03
[8]
硫黄系の無酸素不動態化剤によるエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025539884A
,2025-12-09
[9]
ゲートオールアラウンドトランジスタのための選択的シリコンエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2023533725A
,2023-08-04
[10]
ポリペプチドおよび/またはタンパク質を含む固体塊の薬学的組成物およびそれを製造するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017521479A
,2017-08-03
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