半導体材料の選択的精密エッチング[ja]

被引：0

申请号：

JP20240550664

申请日：

2023-02-17

公开(公告)号：

JP2025508876A

公开(公告)日：

2025-04-10

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IPC主分类号：

H01L21/302

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共 50 条

[1]

半導体材料の精密な選択性エッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2023520218A ,2023-05-16

[2]

多結晶半導体のエッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2025507015A ,2025-03-13

[3]

半導体材料の選択堆積方法[ja] [P].

日本专利 :JP6005361B2 ,2016-10-12

[4]

高選択比で均一な誘電体エッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2025503638A ,2025-02-04

[5]

ブロックコポリマーの選択的エッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018529233A ,2018-10-04

[6]

ブロックコポリマーの選択的エッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018530149A ,2018-10-11

[7]

半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja] [P].

GE JHIH KUEI ;

LEE YI-CHIA ;

LIU WEN DAR ;

WU AIPING ;

SUN LAISHENG .

日本专利 :JP2025087745A ,2025-06-10

[8]

半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022550171A ,2022-11-30

[9]

金属エッチングのためのエッチング前処理[ja] [P].

日本专利 :JP2025517142A ,2025-06-03

[10]

チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス[ja] [P].

日本专利 :JP2017503350A ,2017-01-26

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