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半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20220519790
申请日：
2020-09-28
公开(公告)号：
JP2022550171A
公开(公告)日：
2022-11-30
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/306
IPC分类号：
C11D7/08 C11D7/22 C11D7/34 C11D7/50
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja] [P]. 
GE JHIH KUEI ;
LEE YI-CHIA ;
LIU WEN DAR ;
WU AIPING ;
SUN LAISHENG .
日本专利 :JP2025087745A ,2025-06-10
[2]
半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法[ja] [P]. 
GE JHIH KUEI ;
LEE YI-CHIA ;
LIU WEN DAR .
日本专利 :JP2025060753A ,2025-04-10
[3]
半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022524543A ,2022-05-06
[4]
エッチング液、エッチング方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P]. 
TAJIMA KAZUYA ;
SUGAWARA MAI .
日本专利 :JP2024164666A ,2024-11-27
[5]
窒化シリコン膜を選択的にエッチングするための組成物及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025003967A ,2025-01-14
[6]
窒化シリコン膜を選択的にエッチングするための組成物及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023536836A ,2023-08-30
[7]
エッチング液組成物及びエッチング方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013136624A1 ,2015-08-03
[8]
エッチング液組成物及びエッチング方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017033915A1 ,2018-06-14
[9]
エッチング液組成物及びエッチング方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018074279A1 ,2019-08-08
[10]
エッチング組成物、それを用いた絶縁膜のエッチング方法、及び半導体素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025131786A ,2025-09-09
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