半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210554672

申请日：

2020-03-10

公开(公告)号：

JP2022524543A

公开(公告)日：

2022-05-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/308

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共 50 条

[1]

半導体装置の製造の間に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液及び方法[ja] [P].

GE JHIH KUEI ;

LEE YI-CHIA ;

LIU WEN DAR .

日本专利 :JP2025060753A ,2025-04-10

[2]

半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja] [P].

GE JHIH KUEI ;

LEE YI-CHIA ;

LIU WEN DAR ;

WU AIPING ;

SUN LAISHENG .

日本专利 :JP2025087745A ,2025-06-10

[3]

半導体素子製造時に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング組成物及びエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022550171A ,2022-11-30

[4]

銅および銅合金を選択的にエッチングするためのエッチング液およびそれを用いた半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020105605A1 ,2021-09-30

[5]

窒化シリコン膜を選択的にエッチングするための組成物及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025003967A ,2025-01-14

[6]

窒化シリコン膜を選択的にエッチングするための組成物及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023536836A ,2023-08-30

[7]

ケイ素リッチ窒化ケイ素膜を調製するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025508534A ,2025-03-26

[8]

半導体構造物をエッチングするための窒素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2018529225A ,2018-10-04

[9]

エッチング方法及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004075277A1 ,2006-06-01

[10]

半導体装置の製造においてケイ素−ゲルマニウム／ケイ素積層体からケイ素およびケイ素−ゲルマニウム合金を同時に除去するためのエッチング溶液[ja] [P].

日本专利 :JP2020536377A ,2020-12-10

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