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半導体構造物をエッチングするための窒素含有化合物[ja]
被引：0
申请号：
JP20180505026
申请日：
2016-08-30
公开(公告)号：
JP2018529225A
公开(公告)日：
2018-10-04
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H10B12/00
H10B69/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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