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半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20210069197
申请日：
2021-04-15
公开(公告)号：
JP7079872B2
公开(公告)日：
2022-06-02
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3065
IPC分类号：
H01L21/47
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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