化合物半導体積層構造[ja]

被引：0

申请号：

JP20130089284

申请日：

2013-04-22

公开(公告)号：

JP5673725B2

公开(公告)日：

2015-02-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/338

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/812

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共 50 条

[1]

化合物半導体積層体[ja] [P].

日本专利 :JP6517530B2 ,2019-05-22

[2]

ＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007129773A1 ,2009-09-17

[3]

化合物半導体層構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5665036B2 ,2015-02-04

[4]

化合物半導体積層体及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5857153B2 ,2016-02-10

[5]

化合物半導体積層体及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014156123A1 ,2017-02-16

[6]

化合物半導体構造および化合物半導体構造の製造方法[ja] [P].

SAKAIDA YOSHINORI ;

URATANI YASUKI ;

KAWAMURA KEISUKE ;

YAMASHITA TAKAMASA .

日本专利 :JP2025019538A ,2025-02-07

[7]

酸化物半導体化合物の層、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体[ja] [P].

日本专利 :JP7130209B2 ,2022-09-05

[8]

酸化物半導体化合物、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017150351A1 ,2019-01-10

[9]

化合物半導体積層体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6088281B2 ,2017-03-01

[10]

化合物半導体集積回路[ja] [P].

日本专利 :JP5661707B2 ,2015-01-28

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