化合物半導体構造および化合物半導体構造の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230123192

申请日：

2023-07-28

公开(公告)号：

JP2025019538A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

SAKAIDA YOSHINORI URATANI YASUKI KAWAMURA KEISUKE YAMASHITA TAKAMASA

申请人：

AIR WATER INC

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H01L21/205

代理机构：

代理人：

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共 50 条

[1]

化合物半導体構造およびその製造方法[ja] [P].

SAKAIDA YOSHINORI ;

URATANI YASUKI ;

KAWAMURA KEISUKE .

日本专利 :JP2024131184A ,2024-09-30

[2]

化合物半導体層構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5665036B2 ,2015-02-04

[3]

化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7248410B2 ,2023-03-29

[4]

化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5644256B2 ,2014-12-24

[5]

化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JP6925117B2 ,2021-08-25

[6]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6450282B2 ,2019-01-09

[7]

化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6485382B2 ,2019-03-20

[8]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7726426B1 ,2025-08-20

[9]

化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7550557B2 ,2024-09-13

[10]

化合物半導体構造とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007116517A1 ,2009-08-20

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