半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物[ja]

被引：0

申请号：

JP20190536103

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

JP7227135B2

公开(公告)日：

2023-02-21

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/788 H01L29/792 H10B12/00 H10B41/27 H10B43/27

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共 50 条

[1]

半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2020515047A ,2020-05-21

[2]

半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2023053121A ,2023-04-12

[3]

半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7470834B2 ,2024-04-18

[4]

ヨウ素含有化合物の製造方法及びヨウ素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7786378B2 ,2025-12-16

[5]

半導体構造物をエッチングするための窒素含有化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2018529225A ,2018-10-04

[6]

化合物半導体チップ[ja] [P].

TAKAHASHI SATORU ;

KADOYA SHOTARO ;

MICHIHATA MASAKI ;

ABE KOZO .

日本专利 :JP2025030810A ,2025-03-07

[7]

半導体構造エッチング用ヨウ素含有フルオロカーボン及びハイドロフルオロカーボン化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7775553B2 ,2025-11-26

[8]

半導体構造エッチング用ヨウ素含有フルオロカーボン及びハイドロフルオロカーボン化合物[ja] [P].

日本专利 :JP2023531687A ,2023-07-25

[9]

化合物半導体装置の製造方法及びエッチング液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007105281A1 ,2009-07-23

[10]

含ヨウ素化合物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019216289A1 ,2021-04-22

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