半導体材料の選択堆積方法[ja]

被引:0
申请号
JP20120006913
申请日
2012-01-17
公开(公告)号
JP6005361B2
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
C23C16/04 H01L21/8238 H01L27/092
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体材料の選択的精密エッチング[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025508876A ,2025-04-10
[2]
半導体材料の精密な選択性エッチング[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023520218A ,2023-05-16
[3]
選択的熱原子層堆積[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023552752A ,2023-12-19
[4]
誘電体材料の堆積方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7176106B2 ,2022-11-21
[5]
誘電体材料の堆積方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022500867A ,2022-01-04
[6]
前駆体材料の選択的堆積方法及び関連デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025537895A ,2025-11-20
[7]
半導体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP6633872B2 ,2020-01-22
[8]
半導体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP7190443B2 ,2022-12-15
[9]
半導体集積回路の製造方法および半導体集積回路[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004064161A1 ,2006-05-18
[10]
磁性半導体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006098432A1 ,2008-08-28