一种高通量高熵合金成分设计的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411151211.5
申请日
2024-08-21
公开(公告)号
CN118932202A
公开(公告)日
2024-11-12
发明(设计)人
宗骁 丁贤飞 张强 冯新 南海
申请人
中国航发北京航空材料研究院
申请人地址
100095 北京市海淀区温泉镇环山村
IPC主分类号
C22C1/02
IPC分类号
C22C30/00 C22C30/02 B22D27/04 B22C9/04 C22F1/00 G01N1/28
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李伟
法律状态
公开
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材 [P]. 
王方方 ;
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中国专利 :CN120519816A ,2025-08-22
[2]
高通量筛选磁控溅射高熵合金靶材成分设计方法及靶材 [P]. 
王方方 ;
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[3]
一种高通量制备高熵合金的方法 [P]. 
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[9]
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[10]
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危增曦 ;
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