一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410909851.1

申请日：

2024-07-09

公开(公告)号：

CN118879420A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

檀柏梅高宝红王方圆杜浩毓王如石芸慧张师浩

申请人：

河北工业大学

申请人地址：

300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院

IPC主分类号：

C11D1/83

IPC分类号：

H01L21/02 C11D3/33 C11D3/20 C11D3/30 C11D3/37 C11D3/60

代理机构：

天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210

代理人：

赵凤英

法律状态：

公开

国省代码：

河北省廊坊市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C11D 1/83申请日:20240709

共 50 条

[1]

一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液 [P].

檀柏梅 ;

田思雨 ;

张男男 ;

王淇 ;

黄妍妍 ;

刘孟瑞 ;

王亚珍 .

中国专利 :CN110819999A ,2020-02-21

[2]

用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法 [P].

檀柏梅 ;

杨柳 ;

殷达 ;

何彦刚 ;

王如 ;

孙晓琴 ;

张师浩 .

中国专利 :CN110813891A ,2020-02-21

[3]

用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

高宝红 ;

何彦刚 ;

张保国 .

中国专利 :CN112175756A ,2021-01-05

[4]

一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法 [P].

檀柏梅 ;

王淇 ;

王辰伟 ;

田思雨 ;

马腾达 ;

刘孟瑞 ;

张师浩 .

中国专利 :CN111020610A ,2020-04-17

[5]

一种用于太阳能硅片制造的清洗液 [P].

李新家 ;

贾明 .

中国专利 :CN103952246A ,2014-07-30

[6]

CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用 [P].

刘玉岭 ;

潘辉 ;

高宝红 .

中国专利 :CN105419651A ,2016-03-23

[7]

一种用于清洗晶圆清洗刷的水基清洗液 [P].

王雷雷 ;

何华锋 ;

王晨 ;

郁夏盈 ;

李星 ;

史经深 ;

孙金涛 .

中国专利 :CN113130291A ,2021-07-16

[8]

一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法 [P].

段欣雨 ;

万传云 ;

吴兆键 ;

刘佳旗 .

中国专利 :CN115678439B ,2024-04-23

[9]

一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法 [P].

段欣雨 ;

万传云 ;

吴兆键 ;

刘佳旗 .

中国专利 :CN115678439A ,2023-02-03

[10]

一种用于抑制铜钴电偶腐蚀的半导体芯片清洗液、其制备方法及应用 [P].

侯军 ;

吕晶 ;

褚雨露 ;

刘稳 .

中国专利 :CN119020116A ,2024-11-26

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