用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011219974.0

申请日：

2020-11-05

公开(公告)号：

CN112175756A

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

王辰伟刘玉岭罗翀高宝红何彦刚张保国

申请人：

申请人地址：

300130 天津市红桥区光荣道29号河北工业大学南院微电子所

IPC主分类号：

C11D186

IPC分类号：

C11D330 C11D333 C11D304 C11D316 C11D360 C11D1100 C23G124

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司 12107

代理人：

肖莉丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C11D 1/86 申请日:20201105
2021-01-05	公开	公开
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C11D 1/86 申请公布日:20210105

共 50 条

[1]

用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法 [P].

檀柏梅 ;

杨柳 ;

殷达 ;

何彦刚 ;

王如 ;

孙晓琴 ;

张师浩 .

中国专利 :CN110813891A ,2020-02-21

[2]

一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液 [P].

檀柏梅 ;

高宝红 ;

王方圆 ;

杜浩毓 ;

王如 ;

石芸慧 ;

张师浩 .

中国专利 :CN118879420A ,2024-11-01

[3]

一种去除光阻层残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

彭杏 ;

于昊 .

中国专利 :CN101685273B ,2010-03-31

[4]

一种去除光阻层残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

彭洪修 ;

彭杏 .

中国专利 :CN101750913A ,2010-06-23

[5]

一种去除聚酰亚胺蚀刻后残留物的清洗液 [P].

王亮 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

欧阳克银 ;

万富强 ;

陈小超 ;

徐子豪 ;

吴政 ;

谢建 ;

汪凡杰 ;

彭秋桂 ;

孟牧麟 .

中国专利 :CN119410418A ,2025-02-11

[6]

用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

王胜利 ;

孙鸣 ;

高宝红 .

中国专利 :CN112355884B ,2021-02-12

[7]

一种钴作为阻挡层的铜互连抛光后清洗液及其制备方法和应用 [P].

万传云 ;

刘佳旗 ;

张玫姣 ;

盛星耀 ;

程旺旺 ;

周星辰 .

中国专利 :CN118978959A ,2024-11-19

[8]

一种去除蚀刻残留物的清洗液 [P].

程章 ;

刘兵 ;

肖林成 ;

彭洪修 .

中国专利 :CN113568286A ,2021-10-29

[9]

用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法 [P].

罗翀 ;

王辰伟 ;

徐奕 ;

宋国强 ;

刘玉岭 ;

檀柏梅 .

中国专利 :CN111004579B ,2020-04-14

[10]

一种用于去除光阻残留物的清洗液 [P].

刘兵 ;

孙广胜 ;

何春阳 .

中国专利 :CN104238288A ,2014-12-24

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