用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911184055.1
申请日
2019-11-27
公开(公告)号
CN111004579B
公开(公告)日
2020-04-14
发明(设计)人
罗翀 王辰伟 徐奕 宋国强 刘玉岭 檀柏梅
申请人
申请人地址
300000 天津市红桥区丁字沽光荣道8号
IPC主分类号
H01L21304
IPC分类号
C09G102
代理机构
天津市三利专利商标代理有限公司 12107
代理人
杨欢
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
罗翀 ;
周建伟 ;
牛新环 ;
王如 .
中国专利 :CN112322190A ,2021-02-05
[2]
用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
程远深 ;
王胜利 ;
杨云点 ;
刘玉岭 .
中国专利 :CN110951400A ,2020-04-03
[3]
一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液 [P]. 
罗翀 ;
周建伟 ;
史万里 ;
孙纪元 ;
张彤彤 .
中国专利 :CN119710708A ,2025-03-28
[4]
一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
高宝红 ;
李祥州 ;
刘玉岭 ;
何彦刚 .
中国专利 :CN106118491B ,2016-11-16
[5]
一种用于降低铜互连阻挡层表面缺陷的抛光液及其制备方法 [P]. 
惠宏业 ;
庞雪柯 ;
姚力军 ;
朱海青 .
中国专利 :CN119220182A ,2024-12-31
[6]
一种多层铜互连阻挡层用抛光液及其制备方法 [P]. 
惠宏业 ;
庞雪柯 ;
姚力军 ;
朱海青 .
中国专利 :CN119220181A ,2024-12-31
[7]
一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
郑环 ;
周建伟 ;
高宝红 .
中国专利 :CN106118492A ,2016-11-16
[8]
用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
罗翀 ;
王胜利 ;
孙鸣 ;
高宝红 .
中国专利 :CN112355884B ,2021-02-12
[9]
用于抑制铜钌阻挡层电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
牛新环 ;
张乐 ;
孙鸣 .
中国专利 :CN106118495B ,2016-11-16
[10]
一种用于TSV钛阻挡层的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
潘国峰 ;
翟乐 ;
杨学莉 ;
王辰伟 ;
周建伟 ;
曹子宜 .
中国专利 :CN119639353A ,2025-03-18