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多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011220168.5
申请日：
2020-11-05
公开(公告)号：
CN112322190A
公开(公告)日：
2021-02-05
发明(设计)人：
王辰伟 刘玉岭 罗翀 周建伟 牛新环 王如
申请人：
申请人地址：
300130 天津市红桥区光荣道29号河北工业大学南院微电子所
IPC主分类号：
C09G102
IPC分类号：
H01L21306
代理机构：
天津市三利专利商标代理有限公司 12107
代理人：
肖莉丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-02-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20201105
2022-09-30 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C09G 1/02 申请公布日:20210205
2021-02-05 公开 公开
共 50 条
[1]
用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
罗翀 ;
王辰伟 ;
徐奕 ;
宋国强 ;
刘玉岭 ;
檀柏梅 .
中国专利 :CN111004579B ,2020-04-14
[2]
一种多层铜互连阻挡层用抛光液及其制备方法 [P]. 
惠宏业 ;
庞雪柯 ;
姚力军 ;
朱海青 .
中国专利 :CN119220181A ,2024-12-31
[3]
用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
程远深 ;
王胜利 ;
杨云点 ;
刘玉岭 .
中国专利 :CN110951400A ,2020-04-03
[4]
一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液 [P]. 
罗翀 ;
周建伟 ;
史万里 ;
孙纪元 ;
张彤彤 .
中国专利 :CN119710708A ,2025-03-28
[5]
一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
高宝红 ;
李祥州 ;
刘玉岭 ;
何彦刚 .
中国专利 :CN106118491B ,2016-11-16
[6]
一种用于降低铜互连阻挡层表面缺陷的抛光液及其制备方法 [P]. 
惠宏业 ;
庞雪柯 ;
姚力军 ;
朱海青 .
中国专利 :CN119220182A ,2024-12-31
[7]
一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
郑环 ;
周建伟 ;
高宝红 .
中国专利 :CN106118492A ,2016-11-16
[8]
用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
罗翀 ;
王胜利 ;
孙鸣 ;
高宝红 .
中国专利 :CN112355884B ,2021-02-12
[9]
用于抑制铜钌阻挡层电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法 [P]. 
王辰伟 ;
刘玉岭 ;
牛新环 ;
张乐 ;
孙鸣 .
中国专利 :CN106118495B ,2016-11-16
[10]
阻挡层用抛光液 [P]. 
上村哲也 ;
竹之内研二 .
中国专利 :CN101012356A ,2007-08-08
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