用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011220177.4

申请日：

2020-11-05

公开(公告)号：

CN112355884B

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

王辰伟刘玉岭罗翀王胜利孙鸣高宝红

申请人：

申请人地址：

300130 天津市红桥区光荣道29号河北工业大学南院微电子所

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

C09G104

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司 12107

代理人：

肖莉丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	公开	公开
2021-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:20201105
2022-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法 [P].

罗翀 ;

王辰伟 ;

徐奕 ;

宋国强 ;

刘玉岭 ;

檀柏梅 .

中国专利 :CN111004579B ,2020-04-14

[2]

多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

周建伟 ;

牛新环 ;

王如 .

中国专利 :CN112322190A ,2021-02-05

[3]

用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法 [P].

王辰伟 ;

程远深 ;

王胜利 ;

杨云点 ;

刘玉岭 .

中国专利 :CN110951400A ,2020-04-03

[4]

选择性阻挡层抛光浆液 [P].

叶倩萩 ;

卞锦儒 .

中国专利 :CN101358108A ,2009-02-04

[5]

一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法 [P].

孙清清 ;

王鹏飞 ;

丁士进 ;

张卫 .

中国专利 :CN101692437A ,2010-04-07

[6]

用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

高宝红 ;

何彦刚 ;

张保国 .

中国专利 :CN112175756A ,2021-01-05

[7]

用于铜互连的阻挡层增强工艺 [P].

C·H·JB ;

I·伊瓦诺夫 .

中国专利 :CN1516895A ,2004-07-28

[8]

一种基于TSV的铜/钛/TEOS速率选择性控制的CMP抛光液 [P].

潘国峰 ;

佘柳楠 ;

王辰伟 ;

周建伟 ;

曹子宜 .

中国专利 :CN119709023A ,2025-03-28

[9]

用于铜互连的阻挡层的形成方法 [P].

迪恩·J·丹宁 ;

萨姆·S·加西亚 ;

布拉德利·P·史密斯 ;

丹尼尔·J·路普 ;

格里高里·诺曼·汉米尔顿 ;

MD·拉比欧·伊斯拉姆 ;

布莱恩·G·安托尼 .

中国专利 :CN1266279A ,2000-09-13

[10]

一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液 [P].

罗翀 ;

周建伟 ;

史万里 ;

孙纪元 ;

张彤彤 .

中国专利 :CN119710708A ,2025-03-28

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