一种钴作为阻挡层的铜互连抛光后清洗液及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411040495.0

申请日：

2024-07-31

公开(公告)号：

CN118978959A

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

万传云刘佳旗张玫姣盛星耀程旺旺周星辰

申请人：

上海应用技术大学

申请人地址：

201418 上海市奉贤区海泉路100号

IPC主分类号：

C11D1/72

IPC分类号：

H01L21/02 C11D1/14 C11D1/83 C11D3/20 C11D3/04 C11D3/60 B08B3/08

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

林君如

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C11D 1/72申请日:20240731
2024-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

周建伟 ;

牛新环 ;

王如 .

中国专利 :CN112322190A ,2021-02-05

[2]

用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液 [P].

王辰伟 ;

刘玉岭 ;

罗翀 ;

高宝红 ;

何彦刚 ;

张保国 .

中国专利 :CN112175756A ,2021-01-05

[3]

一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液 [P].

檀柏梅 ;

高宝红 ;

王方圆 ;

杜浩毓 ;

王如 ;

石芸慧 ;

张师浩 .

中国专利 :CN118879420A ,2024-11-01

[4]

长效型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用 [P].

王溯 ;

马丽 ;

史筱超 .

中国专利 :CN109988675A ,2019-07-09

[5]

一种用于芯片铜互连平坦化的抛光液及其制备方法和应用 [P].

万传云 ;

张玫姣 ;

李小涛 ;

刘佳旗 ;

盛星耀 ;

程旺旺 .

中国专利 :CN118880338A ,2024-11-01

[6]

一种基板的铜互连钴阻挡层 [P].

张力飞 ;

王同庆 ;

路新春 .

中国专利 :CN113278366B ,2021-08-20

[7]

用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法 [P].

罗翀 ;

王辰伟 ;

徐奕 ;

宋国强 ;

刘玉岭 ;

檀柏梅 .

中国专利 :CN111004579B ,2020-04-14

[8]

一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法 [P].

王辰伟 ;

高宝红 ;

李祥州 ;

刘玉岭 ;

何彦刚 .

中国专利 :CN106118491B ,2016-11-16

[9]

稳定型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用 [P].

王溯 ;

马丽 ;

史筱超 .

中国专利 :CN110004449A ,2019-07-12

[10]

一种多层铜互连阻挡层用抛光液及其制备方法 [P].

惠宏业 ;

庞雪柯 ;

姚力军 ;

朱海青 .

中国专利 :CN119220181A ,2024-12-31

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