基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380034652.4

申请日：

2023-03-24

公开(公告)号：

CN119032197A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

铺田严工藤敏生板谷秀治

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/24 C23C16/52 H01L21/205

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

范胜杰;姚海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230324
2024-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

长桥知也 ;

陶山渚 ;

江端慎也 ;

野原慎吾 .

日本专利 :CN118414692A ,2024-07-30

[2]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

小川有人 ;

清野笃郎 .

日本专利 :CN119487615A ,2025-02-18

[3]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

小川有人 .

日本专利 :CN119522476A ,2025-02-25

[4]

半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及程序 [P].

八田启希 ;

竹林雄二 ;

田中翔太 ;

长桥知也 ;

冈岛优作 .

日本专利 :CN118575258A ,2024-08-30

[5]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

奥田和幸 ;

今村友纪 ;

野田孝晓 ;

寺崎昌人 .

日本专利 :CN118556281A ,2024-08-27

[6]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

小川有人 .

中国专利 :CN118742995A ,2024-10-01

[7]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

栗林幸永 ;

加我友纪直 .

日本专利 :CN120569807A ,2025-08-29

[8]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

森谷敦 ;

窟田英树 ;

高桥正纮 .

日本专利 :CN119631163A ,2025-03-14

[9]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

坪田康寿 ;

岸本宗树 .

日本专利 :CN119343761A ,2025-01-21

[10]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

照井祐辅 ;

桥本良知 ;

松冈树 ;

长桥知也 .

日本专利 :CN119343760A ,2025-01-21

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