基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380091214.1
申请日
2023-03-27
公开(公告)号
CN120569807A
公开(公告)日
2025-08-29
发明(设计)人
栗林幸永 加我友纪直
申请人
株式会社国际电气
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
许静;范胜杰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
奥田和幸 ;
今村友纪 ;
野田孝晓 ;
寺崎昌人 .
日本专利 :CN118556281A ,2024-08-27
[2]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 .
中国专利 :CN118742995A ,2024-10-01
[3]
半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
野野村一树 ;
竹林雄二 .
中国专利 :CN113614881A ,2021-11-05
[4]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
佐藤明博 ;
原大介 .
中国专利 :CN111066122A ,2020-04-24
[5]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P]. 
长桥知也 ;
陶山渚 ;
江端慎也 ;
野原慎吾 .
日本专利 :CN118414692A ,2024-07-30
[6]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P]. 
小川有人 ;
清野笃郎 .
日本专利 :CN119487615A ,2025-02-18
[7]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P]. 
小川有人 .
日本专利 :CN119522476A ,2025-02-25
[8]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
横川贵史 .
日本专利 :CN119895536A ,2025-04-25
[9]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 ;
加我友纪直 .
日本专利 :CN119895535A ,2025-04-25
[10]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 .
日本专利 :CN119522472A ,2025-02-25