基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置

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专利类型
发明
申请号
CN202280098003.6
申请日
2022-09-27
公开(公告)号
CN119522472A
公开(公告)日
2025-02-25
发明(设计)人
小川有人
申请人
株式会社国际电气
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/285
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
曾贤伟;李平
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
松井俊 ;
横川贵史 ;
小川有人 .
日本专利 :CN118715597A ,2024-09-27
[2]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
横川贵史 .
日本专利 :CN119895536A ,2025-04-25
[3]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 ;
加我友纪直 .
日本专利 :CN119895535A ,2025-04-25
[4]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
竹林雄二 ;
八田启希 ;
坂井佑之辅 ;
冈岛优作 .
日本专利 :CN120359594A ,2025-07-22
[5]
基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
冈岛优作 .
日本专利 :CN119487620A ,2025-02-18
[6]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
田中翔太 ;
八田启希 ;
宫西裕也 .
日本专利 :CN120712641A ,2025-09-26
[7]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
田中翔太 ;
宫西裕也 ;
八田启希 .
日本专利 :CN120883338A ,2025-10-31
[8]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
冈岛优作 .
日本专利 :CN119301745A ,2025-01-10
[9]
基板处理装置、气体供给系统、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
五岛健太郎 ;
油谷幸则 ;
山本薰 .
中国专利 :CN118742670A ,2024-10-01
[10]
基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法以及程序 [P]. 
中岛智志 ;
涩谷光司 .
中国专利 :CN114846588A ,2022-08-02