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基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202280096701.2
申请日
:
2022-08-23
公开(公告)号
:
CN119301745A
公开(公告)日
:
2025-01-10
发明(设计)人
:
冈岛优作
申请人
:
株式会社国际电气
申请人地址
:
日本
IPC主分类号
:
H01L21/31
IPC分类号
:
代理机构
:
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
:
曾贤伟;李平
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-28
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/31申请日:20220823
2025-01-10
公开
公开
共 50 条
[1]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
[P].
坂井佑之辅
论文数:
0
引用数:
0
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0
坂井佑之辅
;
尾崎贵志
论文数:
0
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尾崎贵志
;
西田圭吾
论文数:
0
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0
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0
西田圭吾
.
中国专利
:CN114902383A
,2022-08-12
[2]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
[P].
小川有人
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
小川有人
.
日本专利
:CN119522472A
,2025-02-25
[3]
基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序
[P].
三村英俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
三村英俊
;
佐佐木隆史
论文数:
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佐佐木隆史
;
吉田秀成
论文数:
0
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吉田秀成
;
冈岛优作
论文数:
0
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0
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冈岛优作
.
中国专利
:CN110121763A
,2019-08-13
[4]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
[P].
吉野晃生
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
吉野晃生
;
大桥直史
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0
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0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
大桥直史
;
高崎唯史
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
高崎唯史
.
日本专利
:CN114864432B
,2025-09-12
[5]
基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序
[P].
油谷幸则
论文数:
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油谷幸则
;
广濑义朗
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广濑义朗
;
大桥直史
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大桥直史
;
高崎唯史
论文数:
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高崎唯史
.
中国专利
:CN112176322B
,2021-01-05
[6]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
[P].
吉野晃生
论文数:
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引用数:
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吉野晃生
;
大桥直史
论文数:
0
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大桥直史
;
高崎唯史
论文数:
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高崎唯史
.
中国专利
:CN114864432A
,2022-08-05
[7]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
[P].
横川贵史
论文数:
0
引用数:
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
横川贵史
.
日本专利
:CN119895536A
,2025-04-25
[8]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
[P].
早坂省吾
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
早坂省吾
;
小川有人
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
小川有人
.
日本专利
:CN120958555A
,2025-11-14
[9]
基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序
[P].
松井俊
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
松井俊
;
横川贵史
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
横川贵史
;
小川有人
论文数:
0
引用数:
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
小川有人
.
日本专利
:CN118715597A
,2024-09-27
[10]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
[P].
竹林雄二
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
竹林雄二
;
八田启希
论文数:
0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
八田启希
;
坂井佑之辅
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
坂井佑之辅
;
冈岛优作
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
株式会社国际电气
株式会社国际电气
冈岛优作
.
日本专利
:CN120359594A
,2025-07-22
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