基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202280096701.2
申请日
2022-08-23
公开(公告)号
CN119301745A
公开(公告)日
2025-01-10
发明(设计)人
冈岛优作
申请人
株式会社国际电气
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/31
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
曾贤伟;李平
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
坂井佑之辅 ;
尾崎贵志 ;
西田圭吾 .
中国专利 :CN114902383A ,2022-08-12
[2]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 .
日本专利 :CN119522472A ,2025-02-25
[3]
基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P]. 
三村英俊 ;
佐佐木隆史 ;
吉田秀成 ;
冈岛优作 .
中国专利 :CN110121763A ,2019-08-13
[4]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
吉野晃生 ;
大桥直史 ;
高崎唯史 .
日本专利 :CN114864432B ,2025-09-12
[5]
基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序 [P]. 
油谷幸则 ;
广濑义朗 ;
大桥直史 ;
高崎唯史 .
中国专利 :CN112176322B ,2021-01-05
[6]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
吉野晃生 ;
大桥直史 ;
高崎唯史 .
中国专利 :CN114864432A ,2022-08-05
[7]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
横川贵史 .
日本专利 :CN119895536A ,2025-04-25
[8]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
早坂省吾 ;
小川有人 .
日本专利 :CN120958555A ,2025-11-14
[9]
基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
松井俊 ;
横川贵史 ;
小川有人 .
日本专利 :CN118715597A ,2024-09-27
[10]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P]. 
竹林雄二 ;
八田启希 ;
坂井佑之辅 ;
冈岛优作 .
日本专利 :CN120359594A ,2025-07-22