基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110293140.2

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN114864432B

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

吉野晃生大桥直史高崎唯史

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/677

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

丁文蕴;杜嘉璐

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	授权	授权

共 50 条

[1]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

吉野晃生 ;

大桥直史 ;

高崎唯史 .

中国专利 :CN114864432A ,2022-08-05

[2]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

坂井佑之辅 ;

尾崎贵志 ;

西田圭吾 .

中国专利 :CN114902383A ,2022-08-12

[3]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

冈岛优作 .

日本专利 :CN119301745A ,2025-01-10

[4]

基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法以及程序 [P].

中岛智志 ;

涩谷光司 .

中国专利 :CN114846588A ,2022-08-02

[5]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

早坂省吾 ;

小川有人 .

日本专利 :CN120958555A ,2025-11-14

[6]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

高野智 .

中国专利 :CN110383431A ,2019-10-25

[7]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

筱崎贤次 ;

山本哲夫 ;

广地志有 ;

柳泽爱彦 ;

原直树 ;

上野正昭 ;

山口英人 ;

村田等 ;

西堂周平 ;

木村一洋 .

中国专利 :CN113597663A ,2021-11-02

[8]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

山口英人 ;

广地志有 .

中国专利 :CN107924826A ,2018-04-17

[9]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

中谷公彦 .

中国专利 :CN111902918A ,2020-11-06

[10]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

野野村一树 ;

竹林雄二 .

中国专利 :CN113614881A ,2021-11-05

← 1 2 3 4 5 →