半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980020448.0

申请日：

2019-01-23

公开(公告)号：

CN111902918A

公开(公告)日：

2020-11-06

发明(设计)人：

中谷公彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

C23C1642 C23C16455 H01L2131

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

陈彦;李宏轩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20190123
2020-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 [P].

中谷公彦 .

日本专利 :CN111902918B ,2024-07-26

[2]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

中谷公彦 ;

山本隆治 .

日本专利 :CN117882176A ,2024-04-12

[3]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

坂井佑之辅 ;

尾崎贵志 ;

西田圭吾 .

中国专利 :CN114902383A ,2022-08-12

[4]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

高野智 .

中国专利 :CN110383431A ,2019-10-25

[5]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

筱崎贤次 ;

山本哲夫 ;

广地志有 ;

柳泽爱彦 ;

原直树 ;

上野正昭 ;

山口英人 ;

村田等 ;

西堂周平 ;

木村一洋 .

中国专利 :CN113597663A ,2021-11-02

[6]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

山口英人 ;

广地志有 .

中国专利 :CN107924826A ,2018-04-17

[7]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

吉野晃生 ;

大桥直史 ;

高崎唯史 .

日本专利 :CN114864432B ,2025-09-12

[8]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 [P].

野野村一树 ;

竹林雄二 .

中国专利 :CN113614881A ,2021-11-05

[9]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

冈岛优作 .

日本专利 :CN119301745A ,2025-01-10

[10]

基板处理装置、半导体装置的制造方法、以及程序 [P].

油谷幸则 ;

广濑义朗 ;

大桥直史 ;

高崎唯史 .

中国专利 :CN112176322B ,2021-01-05

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