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基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280099936.7
申请日：
2022-09-21
公开(公告)号：
CN119895536A
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
横川贵史
申请人：
株式会社国际电气
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L21/285
IPC分类号：
C23C16/455
H01L21/31
代理机构：
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人：
许静;范胜杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 公开 | 公开 |
| 2025-05-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/285申请日:20220921 |