基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780080537.5

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN110121763A

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

三村英俊佐佐木隆史吉田秀成冈岛优作

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

C23C16455 H01L21318

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金成哲;郑毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2019-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20170921

共 50 条

[1]

基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法、容器及存储介质 [P].

三村英俊 ;

佐佐木隆史 ;

吉田秀成 ;

冈岛优作 .

日本专利 :CN117810127A ,2024-04-02

[2]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

坂井佑之辅 ;

尾崎贵志 ;

西田圭吾 .

中国专利 :CN114902383A ,2022-08-12

[3]

基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P].

原大介 ;

八幡橘 ;

竹田刚 .

中国专利 :CN112640061A ,2021-04-09

[4]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P].

冈岛优作 .

日本专利 :CN119301745A ,2025-01-10

[5]

半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

花岛建夫 .

中国专利 :CN111868894A ,2020-10-30

[6]

基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统 [P].

永冨佳将 ;

漆原美香 ;

佐佐木隆史 .

中国专利 :CN114026267A ,2022-02-08

[7]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

小川有人 .

日本专利 :CN119522472A ,2025-02-25

[8]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

森谷敦 ;

窟田英树 ;

高桥正纮 .

日本专利 :CN119631163A ,2025-03-14

[9]

基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及程序 [P].

竹林雄二 ;

森岳史 ;

宫西裕也 .

日本专利 :CN120548598A ,2025-08-26

[10]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN120322852A ,2025-07-15

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