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一种高反射率的LED芯片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411032071.X
申请日：
2024-07-30
公开(公告)号：
CN118943259A
公开(公告)日：
2024-11-12
发明(设计)人：
茹浩 秦友林 鲁洋 胡加辉 金从龙
申请人：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址：
330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
IPC主分类号：
H01L33/00
IPC分类号：
H01L33/60 H01L33/44 H01L33/46 H01L33/36
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
李素兰
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-12 公开 公开
2024-11-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20240730
共 50 条
[1]
一种LED芯片及其制备方法 [P]. 
茹浩 ;
秦友林 ;
鲁洋 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN119403303A ,2025-02-07
[2]
一种LED芯片及其制备方法 [P]. 
茹浩 ;
秦友林 ;
鲁洋 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN119403303B ,2025-10-17
[3]
高反射率LED电极及其制备方法 [P]. 
邹贤军 .
中国专利 :CN106328781A ,2017-01-11
[4]
一种高反射率VCSEL芯片的制备方法 [P]. 
李俊承 ;
白继锋 ;
张银桥 ;
王向武 ;
潘彬 .
中国专利 :CN111934198A ,2020-11-13
[5]
一种具有高反射电极的LED芯片及其制备方法 [P]. 
易翰翔 ;
郝锐 ;
吴魁 ;
黄惠葵 .
中国专利 :CN104319333A ,2015-01-28
[6]
一种高反射率LED支架 [P]. 
傅立铭 .
中国专利 :CN203377248U ,2014-01-01
[7]
一种高反射率LED支架 [P]. 
傅立铭 .
中国专利 :CN103311408A ,2013-09-18
[8]
一种高良率的垂直LED芯片及其制备方法 [P]. 
李文涛 ;
邹燕玲 ;
张存磊 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN120302772A ,2025-07-11
[9]
一种具有高反射率复合膜的LED芯片 [P]. 
曲晓东 ;
陈凯轩 ;
赵斌 ;
林志伟 .
中国专利 :CN209880645U ,2019-12-31
[10]
一种具有高反射率复合膜的LED芯片及其制作方法 [P]. 
曲晓东 ;
陈凯轩 ;
赵斌 ;
林志伟 .
中国专利 :CN110299438B ,2024-07-05
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