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存储单元及存储结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310645149.4
申请日
:
2023-05-31
公开(公告)号
:
CN119110594A
公开(公告)日
:
2024-12-10
发明(设计)人
:
邓杰芳
申请人
:
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
H10B61/00
IPC分类号
:
H10N50/10
H10N50/80
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-10
公开
公开
2024-12-27
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20230531
2025-10-21
授权
授权
共 50 条
[1]
存储单元及存储结构
[P].
邓杰芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
邓杰芳
.
中国专利
:CN119110594B
,2025-10-21
[2]
存储单元、存储结构及存储阵列结构
[P].
邓杰芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
邓杰芳
.
中国专利
:CN119152901A
,2024-12-17
[3]
存储单元、存储结构及存储阵列结构
[P].
邓杰芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
邓杰芳
.
中国专利
:CN119152901B
,2025-09-26
[4]
电能存储单元的存储结构
[P].
K.本克特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
K.本克特
;
T.索莱尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
T.索莱尔
.
中国专利
:CN104471756B
,2015-03-25
[5]
电能存储单元的存储结构
[P].
H.兰德斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
H.兰德斯
;
C.舒赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
C.舒赫
;
T.索勒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
T.索勒
.
中国专利
:CN104170160B
,2014-11-26
[6]
存储单元的存储结构和制备方法
[P].
戴瑾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
戴瑾
;
余泳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
余泳
;
杨楠
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
杨楠
;
姜建鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
姜建鹏
.
中国专利
:CN116209258B
,2024-03-29
[7]
存储单元、存储结构、存储阵列及电子设备
[P].
戴瑾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
戴瑾
.
中国专利
:CN119730234A
,2025-03-28
[8]
存储单元、存储结构及其制备方法
[P].
唐怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
唐怡
.
中国专利
:CN119277760A
,2025-01-07
[9]
存储单元、存储结构及其制备方法
[P].
唐怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
唐怡
.
中国专利
:CN119277759B
,2025-09-26
[10]
存储单元、存储结构及其制备方法
[P].
唐怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
唐怡
.
中国专利
:CN119277760B
,2025-10-03
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