存储单元及存储结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310645149.4
申请日
2023-05-31
公开(公告)号
CN119110594A
公开(公告)日
2024-12-10
发明(设计)人
邓杰芳
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H10B61/00
IPC分类号
H10N50/10 H10N50/80
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
存储单元及存储结构 [P]. 
邓杰芳 .
中国专利 :CN119110594B ,2025-10-21
[2]
存储单元、存储结构及存储阵列结构 [P]. 
邓杰芳 .
中国专利 :CN119152901A ,2024-12-17
[3]
存储单元、存储结构及存储阵列结构 [P]. 
邓杰芳 .
中国专利 :CN119152901B ,2025-09-26
[4]
电能存储单元的存储结构 [P]. 
K.本克特 ;
T.索莱尔 .
中国专利 :CN104471756B ,2015-03-25
[5]
电能存储单元的存储结构 [P]. 
H.兰德斯 ;
C.舒赫 ;
T.索勒 .
中国专利 :CN104170160B ,2014-11-26
[6]
存储单元的存储结构和制备方法 [P]. 
戴瑾 ;
余泳 ;
杨楠 ;
姜建鹏 .
中国专利 :CN116209258B ,2024-03-29
[7]
存储单元、存储结构、存储阵列及电子设备 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN119730234A ,2025-03-28
[8]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277760A ,2025-01-07
[9]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277759B ,2025-09-26
[10]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277760B ,2025-10-03