存储单元、存储结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310778554.3
申请日
2023-06-28
公开(公告)号
CN119277759B
公开(公告)日
2025-09-26
发明(设计)人
唐怡
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H10B10/00
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277759A ,2025-01-07
[2]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277760A ,2025-01-07
[3]
存储单元、存储结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119277760B ,2025-10-03
[4]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
杨晓芳 ;
郭崇永 ;
张建 .
中国专利 :CN114121953A ,2022-03-01
[5]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
张建 ;
郭崇永 .
中国专利 :CN114121954B ,2025-03-28
[6]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
金兴成 ;
张建 ;
郭崇永 .
中国专利 :CN114121954A ,2022-03-01
[7]
存储单元结构、存储阵列结构及其制备方法 [P]. 
郭崇永 ;
金兴成 .
中国专利 :CN117580365A ,2024-02-20
[8]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18
[9]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07
[10]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14