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一种氧化镓晶体生长装置
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202323302919.X
申请日：
2023-12-05
公开(公告)号：
CN222043410U
公开(公告)日：
2024-11-22
发明(设计)人：
王琤
王芸霞
刘进
申请人：
杭州镓仁半导体有限公司
申请人地址：
311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62
IPC主分类号：
C30B15/34
IPC分类号：
C30B29/16
代理机构：
北京高沃律师事务所 11569
代理人：
常祖正
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-22 | 授权 | 授权 |