外延片及光电子器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420376274.X

申请日：

2024-02-28

公开(公告)号：

CN222126569U

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

闫其昂王国斌

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L33/12

IPC分类号：

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

外延片及长波发射光电子器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222126568U ,2024-12-06

[2]

紫外光电子器件的外延结构及光电子器件 [P].

孙秀建 ;

黄应南 ;

孙钱 ;

刘建勋 ;

冯美鑫 ;

杨辉 ;

许奇明 ;

沈雁伟 ;

魏永强 .

中国专利 :CN222840029U ,2025-05-06

[3]

光电子器件 [P].

刘利书 ;

梅增霞 ;

侯尧楠 ;

刘章龙 ;

梁会力 ;

刘尧平 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN203871359U ,2014-10-08

[4]

光电子器件 [P].

陈向阳 .

中国专利 :CN212905563U ,2021-04-06

[5]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

中国专利 :CN114365283A ,2022-04-15

[6]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

德国专利 :CN114365283B ,2025-11-14

[7]

光电子器件 [P].

K·阿恩德特 ;

N·法希特奇安 .

中国专利 :CN100587982C ,2005-04-06

[8]

光电子器件 [P].

R·科菲 ;

J-M·里维耶 .

中国专利 :CN114725222A ,2022-07-08

[9]

光电子器件 [P].

安德烈亚斯·赖特 ;

保拉·阿尔铁里-魏玛 .

中国专利 :CN112262482A ,2021-01-22

[10]

光电子器件 [P].

K.格罗泽 ;

T.巴德 .

中国专利 :CN102985511B ,2013-03-20

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