紫外光电子器件的外延结构及光电子器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420106862.1

申请日：

2024-01-16

公开(公告)号：

CN222840029U

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

孙秀建黄应南孙钱刘建勋冯美鑫杨辉许奇明沈雁伟魏永强

申请人：

苏州立琻半导体有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215413 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号

IPC主分类号：

H10H20/816

IPC分类号：

H10H20/81 H10F30/22 H10F77/14 H10F77/30 H10F77/124

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

紫外光电子器件的外延结构及其应用 [P].

孙秀建 ;

黄应南 ;

孙钱 ;

刘建勋 ;

冯美鑫 ;

杨辉 ;

许奇明 ;

沈雁伟 ;

魏永强 .

中国专利 :CN118969924A ,2024-11-15

[2]

光电子器件 [P].

K.P.霍梅伍德 ;

R.M.格威廉 .

中国专利 :CN110265519A ,2019-09-20

[3]

光电子器件 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN102428581B ,2012-04-25

[4]

光电子器件 [P].

K.P.霍梅伍德 ;

R.M.格威廉 .

中国专利 :CN103460412A ,2013-12-18

[5]

光电子器件 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN103003941B ,2013-03-27

[6]

外延片及光电子器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222126569U ,2024-12-06

[7]

光电子器件和制造光电子器件的方法 [P].

余国民 .

中国专利 :CN114391122A ,2022-04-22

[8]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

中国专利 :CN114365283A ,2022-04-15

[9]

光电子器件及制造光电子器件的方法 [P].

马提亚斯·希恩 .

德国专利 :CN114365283B ,2025-11-14

[10]

用于制造光电子器件的方法、光电子器件以及带有多个光电子器件的光电子器件装置 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN102388472B ,2012-03-21

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