一种钨硅靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410934629.7

申请日：

2024-07-12

公开(公告)号：

CN118847993A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

姚力军杨赛赛吴东青滕晓朋

申请人：

宁波江丰电子材料股份有限公司

申请人地址：

315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路

IPC主分类号：

B22F3/04

IPC分类号：

B22F3/15 C23C14/35 C22C27/04

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

徐浩

法律状态：

公开

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B22F 3/04申请日:20240712

共 50 条

[1]

钛铝硅合金靶材的制备方法 [P].

周武平 ;

姚伟 ;

赵雷 ;

郝权 ;

张路长 ;

孙继洲 .

中国专利 :CN104416157A ,2015-03-18

[2]

铬铝硅合金靶材及其制备方法 [P].

张凤戈 ;

唐培新 ;

姚伟 ;

张路长 ;

姜海 ;

赵雷 ;

高明 .

中国专利 :CN104419859A ,2015-03-18

[3]

一种钨硅合金靶材的制备方法 [P].

边逸军 ;

姚力军 ;

苏阳能 ;

钟伟华 .

中国专利 :CN120624997A ,2025-09-12

[4]

一种钨硅靶材的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

李岢 .

中国专利 :CN113981387A ,2022-01-28

[5]

一种钛硅合金靶材及其制造方法 [P].

张凤戈 ;

李建奎 ;

魏铁峰 ;

张欠男 ;

缪磊 ;

张学华 ;

岳万祥 .

中国专利 :CN111136265B ,2020-05-12

[6]

一种钽靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

江胜君 .

中国专利 :CN113136554A ,2021-07-20

[7]

一种钨硅合金靶材的制备方法 [P].

程少磊 ;

马国成 ;

欧海玲 ;

庄成康 ;

徐铸 ;

童培云 .

中国专利 :CN114293158A ,2022-04-08

[8]

一种钽硅合金溅射靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

马国成 .

中国专利 :CN110952064A ,2020-04-03

[9]

钨硅靶材的制造方法 [P].

姚力军 ;

相原俊夫 ;

大岩一彦 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

张涛 .

中国专利 :CN105671483A ,2016-06-15

[10]

一种MoTiNi靶材及其制备方法与应用 [P].

姚力军 ;

黄洁文 ;

周友平 ;

吴东青 .

中国专利 :CN119530583A ,2025-02-28

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