フェノール部位を有する第四級ホスホニウムシランおよびその製造方法、並びにこれを用いた環状カーボネートの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230066115

申请日：

2023-04-14

公开(公告)号：

JP2024152123A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

ICHII SHUN TONOMURA YOICHI KIYOMORI AYUMI

申请人：

SHINETSU CHEMICAL CO

申请人地址：

IPC主分类号：

C07F19/00

IPC分类号：

C07D317/36

代理机构：

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共 50 条

[1]

グアニジン配位子を有する亜鉛錯体およびその製造方法、並びにこれを用いた環状カーボネートの製造方法[ja] [P].

ICHII SHUN ;

TONOMURA YOICHI ;

KIYOMORI AYUMI .

日本专利 :JP2024000669A ,2024-01-09

[2]

ホスホール化合物およびその製造方法、ホスホール環を分子内に有する化合物の製造方法、ホスホール環を分子内に有する化合物およびその用途[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011115102A1 ,2013-06-27

[3]

環状ホスホネート化合物およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014157598A1 ,2017-02-16

[4]

環状ホスホネート化合物およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6386444B2 ,2018-09-05

[5]

スルホニウム化合物の製造方法、並びにスルホニウムボレート錯体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5727316B2 ,2015-06-03

[6]

ホスフェート−ホスホネート結合を有するリン化合物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006049011A1 ,2008-05-29

[7]

カーボンナノチューブ製造用金属触媒の製造方法及びこれを用いたカーボンナノチューブの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015533638A ,2015-11-26

[8]

環状カーボネート構造を有する新規なホスフィン酸エステル化合物およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5851250B2 ,2016-02-03

[9]

ホウ素化合物を内包および外壁に担持するカーボンナノホーン及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6281991B2 ,2018-02-21

[10]

ホウ素化合物を内包および外壁に担持するカーボンナノホーン及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015156385A1 ,2017-04-13

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