グアニジン配位子を有する亜鉛錯体およびその製造方法、並びにこれを用いた環状カーボネートの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220099499
申请日
2022-06-21
公开(公告)号
JP2024000669A
公开(公告)日
2024-01-09
发明(设计)人
ICHII SHUN TONOMURA YOICHI KIYOMORI AYUMI
申请人
SHIN ETSU CHEM CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
C07F19/00
IPC分类号
B01J31/22 C07D317/36 C07F7/18
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
フェノール部位を有する第四級ホスホニウムシランおよびその製造方法、並びにこれを用いた環状カーボネートの製造方法[ja] [P]. 
ICHII SHUN ;
TONOMURA YOICHI ;
KIYOMORI AYUMI .
日本专利 :JP2024152123A ,2024-10-25
[3]
ルテニウム錯体の製造方法、並びにルテニウム錯体及びこれを用いたジアミンの製造方法[ja] [P]. 
MORITA KENTA ;
URAYAMA TEPPEI .
日本专利 :JP2023177660A ,2023-12-14
[6]
環状カーボネート化合物、及びその製造方法[ja] [P]. 
HAMADA TOMOHITO ;
YAMAMOTO SADAHIRO ;
HAYASHI KOTARO ;
HOSOKAWA MOE ;
KISHIKAWA YOSUKE .
日本专利 :JP2022065082A ,2022-04-26
[7]
環状カーボネート化合物、及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7116294B2 ,2022-08-10
[8]
環状カーボネート化合物、及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7244789B2 ,2023-03-23
[9]