一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410907227.8

申请日：

2024-07-08

公开(公告)号：

CN118448449B

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

丁磊滕支刚

申请人：

无锡商甲半导体有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼523-9

IPC主分类号：

H01L29/739

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/331

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权
2024-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20240708
2024-08-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118448449A ,2024-08-06

[2]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736A ,2024-08-13

[3]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736B ,2024-11-19

[4]

一种高可靠性的终端结构及其制造方法 [P].

张永利 ;

王新强 ;

王丕龙 ;

刘文 .

中国专利 :CN113594227A ,2021-11-02

[5]

IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN108461541A ,2018-08-28

[6]

一种高可靠性终端结构及制备方法 [P].

李娜 ;

王万 ;

柴晨凯 .

中国专利 :CN118538606A ,2024-08-23

[7]

一种高可靠性的终端结构 [P].

张永利 ;

王新强 ;

王丕龙 ;

刘文 .

中国专利 :CN215771157U ,2022-02-08

[8]

成长高可靠性IGBT金属连接的方法 [P].

李琳松 .

中国专利 :CN104377130B ,2015-02-25

[9]

一种高可靠性功率MOSFET及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN113540215B ,2021-10-22

[10]

一种高可靠性的IGBT芯片及其制作方法 [P].

刘坤 ;

刘杰 .

中国专利 :CN114975602B ,2022-11-08

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